【集成电路】关键莱利公式扮演半导体制程微缩重要基础
半导体讲求制程微缩，生产的芯片除了有更小体积、更好效能之外，也有更优异的耗能表现。而在制程微缩的需求下，微影曝光设备能提供的效能就更加关键。如何让微影曝光设备能提供更加精密的工作效能，全球微影曝光设备大厂ASML就在官方Facebook公布关键公式：莱利公式（Rayleigh Criterion），使半导体微影曝光设备能持续发展。
ASML指出，莱利公式为CD=k1 x(λ/NA)，描述了重要参数间的对应关系，CD（Critical Dimension）中文译作关键尺寸或临界尺寸，而k1为变因，λ则是曝光机所用的光源波长，最后NA（Numerical Aperture）就是代表光学系统的数值孔径。
利用此公式，在半导体制程中，希望生产的芯片体积越来越小、搭载效能越来越高。也就是说，必须将公式中的λ（光源波长）缩小、NA（反射镜数值孔径）提高，让最后得到的CD越来越小。虽然有此公式辅助，但同时还是必须有曝光机的内部构造和工作模式的发展，这也是提升芯片生产效能和良率的关键要素。
ASML进一步表示，透过莱利公式持续改善我们的微影设备，并透过专业的微影技术、与客户及供应商的紧密合作，协助全球半导体产业提升制造良率和产能，实现芯片微缩蓝图，让终端消费者能够用更合理的价格买到功能更强、体积更小巧的电子产品，进一步提升人类的生活品质。
