【集成电路】大硅片界人人都在说的COP究竟是什么？

　　COP(crystal originated particle)是存在于晶圆片的空洞，在经过氧化溶液SC1（NH4OH：H2O2:H2O=1：1：5）的处理后，可出现小的蚀刻坑洞。而这种晶圆片在经由光线散射仪器所量测出来的微粒（particle），一般称之为LPD（light point defect）。

　　最早期，LPD一直被认为是晶圆片加工过程所引进的污染微粒，直到1990年才发现大部分的LPD是由长晶过程所产生的空洞，因此被称之为COP。COP的大小一般在100到200nm之间。

　　利用AFM所观察到经过SC1处理后的攀生状COP：

　　俯视图

　　3D视图

　　另外，观察发现晶圆片重复在SC1溶液中清洗后，COP的大小与数目会显著的增加。这是因为原来出现在晶圆片表面的COP，不会因为重复清洗而消失，而位于次表面的空洞却会因重复清洗，而出现在表面成为新的COP。